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N acoplador direcional DB RF feminino 300MHz-1000MHz para DAS / IBS

Name: N acoplador direcional DB RF feminino 300MHz-1000MHz para DAS / IBS
Brand: HeFei Vinncom Electronic Technology Co.,Ltd.
SKU: VN-DC-0310-ONx
Price: 360.00 USD
Availability: InStock

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: Vinncom

Certificação: RoHS/ISO9000

Número do modelo: VN-DC-0310-ONx

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Quantidade de ordem mínima: 5pcs

Preço: negotiable

Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                      N acoplador direcional de RF feminino, Acoplador direccional IBS RF, Acoplador DAS db
                                                  

Interface:	N Feminino	Segurando o poder::	300
IM3 (DBc @ 2×43dBm)::	-150/-155/-161/-165	VSWR::	≤1,2
Grau de proteção::	IP65	Luz alta::	300-1000 acoplador direcional do megahertz

Interface:	N Feminino
Segurando o poder::	300
IM3 (DBc @ 2×43dBm)::	-150/-155/-161/-165
VSWR::	≤1,2
Grau de proteção::	IP65
Luz alta::	300-1000 acoplador direcional do megahertz

Descrição

N acoplador direcional DB RF feminino 300MHz-1000MHz para DAS / IBS

300-1000 MHz N acoplador direcional feminino VSWR≤ 1.2PIM -150/-155/-161/-165 Acoplador direcional para SII e SID

Alto isolamento
Bom PIM até -165@43dBm*2
Bom VSWR em todos os portos

Número da parte	A partir de 1 de janeiro de 2014:
Frequência de operação (MHz)	300 a 1000
Impedância (Ohm)	50
VSWR	≤ 1.2
Acoplamento (dB)	5	6	7	10	15	20
Tolerância (dB)	± 0.8	± 0.8	± 0.8	± 10	± 10	± 15
Perda de inserção (dB)	≤ 2.1	≤ 1.6	≤ 1.5	≤ 0.8	≤ 0.4	≤ 0.22
Isolamento (dB)	≥ 25	≥ 26	≥ 27	≥ 30	≥ 35	≥ 40
IM3 (dBc @ 2×43dBm)	- 150/-155/-161/-165
Aplicação	Interior/exterior
Grau de proteção	IP65
Temperatura de funcionamento (°C)	-40 ~ + 80
Interface	N Mulher
Potência de manuseio (watts, máximo)	300
Potência máxima (watts, máximo)	1200
Dimensão (mm) ((L × W × H, exceto conector)	269 × 47 × 21
Dimensões da embalagemNão, não, não.	420 × 80 × 40
Embalagem Tamanho da embalagem (mm,L×W×H)	434 × 435 × 195
Conformidade com a ROHS	- Sim, sim.

Os dispositivos passivos de RF são utilizados principalmente na construção de estações base de sistemas de comunicação sem fio e sistemas de distribuição de energia interna.Especialmente no edifício de distribuição e cobertura de sinais sem fio de uma ampla gama de aplicações, uma variedade de dispositivos RF passivos são usados para conectar ou distribuir sinais de RF na construção de estações base e projetos de distribuição de energia interior.Sistema de distribuição de energia interior é para conectar ou ramificar os sinais enviados pela estação base através de equipamentos passivos RF, e depois distribuí-los para cada ponto de cobertura da antena através do alimentador, de modo a alcançar uma boa cobertura de sinais sem fio c interiores.

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